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FMUSER Original New MRF6V2150NB SMD RF 전력 트랜지스터 튜브 고주파 튜브 전력 증폭 모듈 전력 MOSFET 트랜지스터

FMUSER 원래 새로운 MRF6V2150NB SMD RF 전력 트랜지스터 튜브 고주파 튜브 전력 증폭 모듈 전력 MOSFET 트랜지스터 FMUSER 원래의 새로운 MRF6V2150NB RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터는 주로 최대 450MHz의 주파수를 가진 광대역 대형 신호 출력 및 드라이버 애플리케이션 용으로 설계되었습니다. 장치는 타의 추종을 불허하며 산업, 의료 및 과학 응용 분야에 사용하기에 적합합니다. 제품 세부 사항 : 부품 번호 : MRF6V2150NB 설명 : 측면 N 채널 단일 종단 광대역 RF 전력 MOSFET, 10-450MHz, 150W, 50V 특징 : 일반적인 CW 성능 220MHz에서 : VDD = 50V, IDQ = 450mA, Pout = 150W Pow

세부

가격 (USD) 수량 (PCS) 배송 (USD) 총 (USD) 배송 방법 결제
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FMUSER 원래 새 MRF6V2150NB SMD RF Power 트랜지스터 튜브 고주파 튜브 전력 증폭 모듈 전력 MOSFET 트랜지스터






FMUSER 원래 새로운 MRF6V2150NB RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터 d주로 광대역 대형 신호 출력 및 드라이버 애플리케이션 용으로 지정됨최대 450MHz의 주파수로. 장치는 타의 추종을 불허하며 다음에 적합합니다.산업, 의료 및 과학 응용 분야에서 사용



제품 세부 사항 :


P예술 번호 : MRF6V2150NB

설명 : 측면 N 채널 단일 종단 광대역 RF 전력 MOSFET, 10-450MHz, 150W, 50V



특징:


220MHz에서 일반적인 CW 성능 : VDD = 50V, IDQ = 450mA, Pout = 150W
전력 이득 : 25.5 dB
배수 효율성 : 69 %
10 : 1 VSWR, @ 50 Vdc, 210MHz, 150W 처리 가능
통합 ESD 보호
우수한 열 안정성
수동 이득 제어, ALC 및 변조 기술 촉진
225 ° C 가능 플라스틱 패키지
RoHs 지령



일반 매개 변수 :


트랜지스터 유형 : LDMOS
기술 : Si
응용 산업 : ISM, 방송
신청 : 과학, 의료
CW / 펄스 : CW
주파수 : 10 ~ 450MHz
전력 : 51.76dBm
전력 (W) : 149.97W
CW 전력 : 150W
전력 이득 (Gp) : 23.5 ~ 26.5dB
입력 반사 손실 : -17 ~ -3dB
VSWR : 10.00 : 1
극성 : N 채널
공급 전압 : 50 V
임계 전압 : 1 ~ 3 Vdc
항복 전압-드레인 소스 : 110V
전압-게이트 소스 (Vgs) : -0.5 ~ 12 Vdc
배수 효율 : 0.683
드레인 전류 : 450mA
임피던스 Zs : 50 Ohms
내열성 : 0.24 ° C / W
패키지 유형 : 플랜지
패키지 : 케이스 1484--04, 스타일 1 ~ --272 WB--4 플라스틱
RoHS 준수 : 예
작동 온도 : 150 섭씨 온도

보관 온도 : -65 ~ 150도 



패키지 내용물 :
1x
MRF6V2150NB RF 전력 트랜지스터



 

 

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89 1 0 89 항공 우편 배송

 

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