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FMUSER 원래 새로운 MRF6VP11KH RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터
FMUSER Original New MRF6VP11KH RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터 FMUSER MRF6VP11KHR6은 주로 최대 150MHz의 주파수를 가진 펄스 광대역 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 장치는 타의 추종을 불허하며 산업, 의료 및 과학 응용 분야에서 사용하기에 적합합니다. 130MHz에서 일반적인 펄스 성능 : VDD = 50V, IDQ = 150mA, Pout = 1000W 피크 (200W 평균), 펄스 폭 = 100µsec, 듀티 사이클 = 20 % 전력 이득 : 26dB 드레인 효율 : 71 10 : 1 VSWR, @ 50Vdc, 130MHz, 1000W 처리 능력 % 직렬 등가의 큰 신호 임피던스 매개 변수로 특성화 된 최대 전력 최대 50VDD 작동까지 인증 된 적절한 냉각을 통한 CW 작동 기능 통합 ESD 보호
세부
가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
215 | 1 | 0 | 215 | DHL |
FMUSER 원래 새로운 MRF6VP11KH RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터
FMUSER MRF6VP11KHR6은 주로 최대 150MHz의 주파수를 사용하는 펄스 광대역 애플리케이션 용으로 설계되었습니다. 장치는 타의 추종을 불허하며 산업, 의료 및 과학 응용 분야에서 사용하기에 적합합니다.
특징
130MHz에서 일반적인 펄스 성능 : VDD = 50V, IDQ = 150mA, Pout = 1000W 피크 (200W 평균), 펄스 폭 = 100µsec, 듀티 사이클 = 20 %
전력 이득 : 26dB
효율성 배수 : 71하기 %
10 처리 능력 : 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 와트 피크 전력
동일한 크기의 대 신호 임피던스 파라미터로 특징 지어진
적절한 냉각 기능을 갖춘 CW 작동 기능
최대 50 VDD 동작까지 검증
통합 ESD 보호
푸시 - 풀 동작을 위해 설계
개선 된 클래스 C 동작을위한 네거티브 게이트 - 소스 전압 범위
RoHs 지령
테이프 및 릴에서. R6 접미사 = 150mm 당 56 단위, 13 인치 릴
스펙
트랜지스터 유형 : LDMOS
기술 : Si
응용 산업 : ISM, 방송
신청 : 과학, 의료
CW / 펄스 : CW
주파수 : 1.8 ~ 150MHz
전력 : 53.01dBm
전력 (W) : 199.99W
P1dB : 60.57dBm
피크 출력 전력 : 1000W
펄스 폭 : 100 us
Duty_Cycle : 0.2
전력 이득 (Gp) : 24 ~ 26dB
입력 반환 : 손실 : -16 ~ -9dB
VSWR : 10.00 : 1
극성 : N 채널
공급 전압 : 50 V
임계 전압 : 1 ~ 3 Vdc
항복 전압-드레인 소스 : 110V
전압-게이트 소스 : (Vgs) :-6 ~ 10 Vdc
배수 효율 : 0.71
드레인 전류 : 150mA
임피던스 Zs : 50 Ohms
내열성 : 0.03 ° C / W
패키지 : 유형 : 플랜지
패키지 : CASE375D--05 STYLE 1 NI--1230--4
RoHS 준수 : 예
작동 온도 : 150 섭씨 온도
보관 온도 : -65 ~ 150 ° C
패키지 내용물
1x MRF6VP11KH RF 전력 트랜지스터
가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
215 | 1 | 0 | 215 | DHL |