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MRFE6VP5300N RF 전력 MOSFET 트랜지스터
MRFE6VP5300N RF 전력 MOSFET 트랜지스터 설명이 고강도 장치 인 MRFE6VP5300NR1 및 MRFE6VP5300GNR1은 높은 VSWR 산업 (레이저 및 플라즈마 여기기 포함), 방송 (아날로그 및 디지털), 항공 우주 및 무선 / 육상 모바일 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다. 1.8 ~ 600MHz의 넓은 주파수 범위 활용을 허용하는 타의 추종을 불허하는 입력 및 출력 설계입니다. 특징 ● 넓은 작동 주파수 범위 ● 극도의 견고성 ● 넓은 주파수 범위 활용을 가능하게하는 탁월한 입출력 ● 통합 안정성 향상 ● 낮은 열 저항 ● 통합 ESD 보호 회로 ● RoHS 준수 ● 테이프 및 릴. R1 접미사 = 500 개 단위, 44mm 테이프 너비, 13 인치 릴. 주요 매개 변수
세부
| 가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
| 135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
MRFE6VP5300N RF 전력 MOSFET 트랜지스터
상품 설명
이러한 고강도 장치 인 MRFE6VP5300NR1 및 MRFE6VP5300GNR1은 높은 VSWR 산업용 (레이저 및 플라즈마 여기기 포함), 방송 (아날로그 및 디지털), 항공 우주 및 무선 / 육상 모바일 애플리케이션에서 사용하도록 설계되었습니다. 1.8 ~ 600MHz의 넓은 주파수 범위 활용을 허용하는 타의 추종을 불허하는 입력 및 출력 설계입니다.특징
●넓은 작동 주파수 범위
●극도의 견고성
●넓은 주파수 범위 사용을 허용하는 타의 추종을 불허하는 입력 및 출력
●통합 된 안정성 향상
●낮은 열 저항
●통합 ESD 보호 회로
●RoHs 지령
●테이프 및 릴. R1 접미사 = 500 단위, 44 mm 테이프 너비, 13-inch 릴.
주요 매개 변수
●주파수 (최소) 1.8 (MHz)
●주파수 (최대) 600 (MHz)
●공급 전압 (Typ) 50 (V)
●P1dB (통상) 54.8 (dBm)
●P1dB (통상) 300 (W)
●출력 전력 (통상) (W) @ 테스트 신호에서 상호 변조 레벨 300.0 @ CW
●테스트 신호 CW
●전력 이득 (통상) 25.0 @ 230 (dB) @ f (MHz)
●효율 (통상) 70 (%)
●내열성 (Spec) 0.22 (℃ / W)
포장은 다음을 포함한다
1x MRFE6VP5300N RF 트랜지스터
| 가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
| 135 | 1 | 0 | 135 | DHL |
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