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FMUSER 1pcs 원래 새로운 MRF141G RF 전력 MOSFET 트랜지스터

FMUSER 1pcs 원래의 새로운 MRF141G RF 전력 MOSFET 트랜지스터 설명 175MHz의 주파수에서 광대역 상업 및 군사 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 장치의 고전력, 고 이득 및 광대역 성능은 특히 FM 방송 또는 TV 채널 주파수 대역 솔리드 스테이트 송신기 및 증폭기에 유용합니다. 특징 ● 175MHz, 28V에서 성능 보장 : ● 출력 전력 : 300W ● 게인 : 12dB (14dB Typ.) ● 효율 : 50 % ● 낮은 열 저항 : 0.35 ° C / W ● 정격 출력 전력에서 견고성 테스트 ● 향상된 신뢰성 사양 ● 트랜지스터 극성 : N- 채널 ● 기술 : Si ● Id-연속 드레인 전류 : 32 A

세부

가격 (USD) 수량 (PCS) 배송 (USD) 총 (USD) 배송 방법 결제
168 1 0 168 DHL

 



FMUSER 1pcs 오리지널 신규 MRF141G  RF 전력 MOSFET 트랜지스터

상품 설명

175MHz의 주파수에서 광대역 상업 및 군사 애플리케이션 용으로 설계되었습니다. 고출력, 고 이 장치의 이득 및 광대역 성능은 특히 FM 방송 또는 TV 채널 주파수에 유용합니다. 밴드 솔리드 스테이트 송신기 및 증폭기.





특징

175MHz, 28V에서 보장 된 성능 :
출력 전력: 300W
이득 : 12dB (표준 14dB)
효율성 : 50의 %
낮은 내열성 : 0.35 ° C / W
정격 출력에서 ​​견고성 테스트
신뢰성 향상을위한 질화물 부동 태화 다이
명세서
트랜지스터 극성 : N- 채널
기술: Si
ID-연속 드레인 전류 : 32
Vds-드레인 소스 항복 전압 : 65 V
작동 빈도 : 175 MHz
이득: 12 dB
출력 전력 : 300 승
최소 작동 온도 : -65 C
최대 작동 온도 : + 150C
장착 스타일 : SMD / SMT
패키지 / 케이스 : 375-04
Pd-전력 소비 : 500 승
Vgs-게이트 소스 전압 : 40 V

Vgs th-게이트 소스 임계 값 전압 : 3 V





어플리케이션

 항공 우주 및 방위

 ISM


패키지 포함

1x MRF141G  RF 전력 트랜지스터



 

 

가격 (USD) 수량 (PCS) 배송 (USD) 총 (USD) 배송 방법 결제
168 1 0 168 DHL

 

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