즐겨 찾기 추가 설정 홈페이지
위치: >> 제품 >> RF 트랜지스터

제품 카테고리

제품 태그

Fmuser 사이트

FUMSER Original MRF154 무선 주파수 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터

FUMSER Original MRF154 무선 주파수 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 설명 :-제품 카테고리 : RF 금속 산화물 반도체 전계 효과 (RF MOSFET) 트랜지스터-트랜지스터 극성 : N- 채널-기술 : Si --Id- 연속 드레인 전류 : 60A --Vds- 드레인 소스 항복 전압 : 125V-게인 : 17dB-출력 전력 : 600W-최소 작동 온도 : -65 ° C-최대 작동 온도 : + 150 ° C-패키지 / 박스 : 368-3-구성 : 단일-작동 주파수 : 80MHz-유형 : RF 전력 MOSFET-상표 : MACOM --Pd 전력 손실 : 1.35kW-제품 유형 : RF MOSFET 트랜지스터-공장 포장 수량 : 1-하위 카테고리 : MOSFET --Vgs-gate-source 전압 : 40V --Vgs th- gat

세부

가격 (USD) 수량 (PCS) 배송 (USD) 총 (USD) 배송 방법 결제
159 1 0 159 DHL

 

FUMSER Original MRF154 무선 주파수 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터





상품 설명:


-제품 카테고리 : RF 금속 산화물 반도체 전계 효과 (RF MOSFET) 트랜지스터
-트랜지스터 극성 : N 채널
-기술 : Si
--Id 연속 드레인 전류 : 60A
--Vds- 드레인 소스 항복 전압 : 125V
-게인 : 17dB
-출력 전력 : 600W
-최소 작동 온도 : -65 C
-최대 작동 온도 : + 150 C
-패키지 / 상자 : 368-3
-구성 : 단일
-작동 주파수 : 80MHz
-유형 : RF 전력 MOSFET
-상표 : MACOM
--Pd 전력 흩어지기 : 1.35kW
-제품 유형 : RF MOSFET 트랜지스터
-공장 포장 수량 : 1
-하위 범주 : MOSFET
--Vgs- 게이트-소스 전압 : 40V
--Vgs th- 게이트 소스 임계 전압 : 3V
-단위 중량 : 122.795g

특징:
--N– 채널 향상 모드 MOSFET
-지정된 50V, 30MHz 특성-출력 전력 = 600W, 전력 이득 = 17dB (일반), 효율성 = 45 % (일반)
-최소 주파수 : 2MHz
-최대 주파수 : 100MHz
--Pout : 600W
-게인 : 17dB
-효율 : 45 %

어플리케이션 :
-항공 우주 및 방위
--주의


패키지 내용물 :

1 * MRF154 트랜지스터



 

 

가격 (USD) 수량 (PCS) 배송 (USD) 총 (USD) 배송 방법 결제
159 1 0 159 DHL

 

메시지를 남겨주세요 

성함 *
이메일 *
연락처
주소
암호 인증 코드를 참조하십시오? 새로 고침을 클릭!
보내실 내용
 

메시지 목록

댓글로드 중 ...
| 회사 소개| 제품| 뉴스| 다운로드| 고객지원| 피드백| 연락처| 예배

연락처: Zoey Zhang 웹사이트: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat : +86 183 1924 4009

스카이프: 톰리칸 이메일: [이메일 보호] 

페이스북: FMUSERBROADCAST 유튜브: FMUSER 조이

영어 주소: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 중국어 주소: 广州市天河区黄埔大道西273号惠兰阁305(3E)