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FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터 N 채널
FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터 N 채널 기능 : ● 부품 번호 MRF173CQ ● 설명 FET RF 65V 150MHZ 316-01 ● 상세 설명 RF Mosfet N 채널 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, 스타일 2 ● 데이터 시트 MRF173CQ ● 환경 정보 RoHS 인증서 ● HTML 데이터 시트 MRF173CQ 설명 : ● 포장 : 트레이 ● 부품 상태 : 활성 ● 트랜지스터 유형 : N- 채널 ● 주파수 : 150MHz ● 이득 : 13dB ● 전압-테스트 : 28V ● 정격 전류 (Amps) : 9A ● 노이즈 지수 : 1.5dB ● 전류-테스트 : 50mA ● 전원-출력 : 80W ● Volta
세부
| 가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
| 79 | 1 | 0 | 79 | 항공 우편 배송 |
FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터 N 채널
특징:
● 부품 번호 MRF173CQ
● 상품 설명 FET RF 65V 150MHZ 316-01● 상세 설명 RF Mosfet N- 채널 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, 스타일 2
● 데이터시트 MRF173CQ
● 환경 정보 RoHS 인증서
● HTML 데이터 시트 MRF173CQ
● 포장 : 트레이
● 부품 상태 : 최근활동
● 트랜지스터 유형 : N- 채널
● 주파수 : 150MHz
● 이득: 13dB
● 전압 - 테스트 : 28V
● 정격 전류 (A) : 9A
● 잡음 지수 : 1.5dB
● 전류 - 테스트 : 50mA
● 전력 출력 : 80W
● 전압 - 정격 : 65V
어플리케이션 :
최대 200MHz 주파수 범위의 광대역 상업 및 군사 애플리케이션 용으로 설계되었습니다. 이 장치의 고전력, 고 이득 및 광대역 성능은 FM 방송 또는 TV 채널 주파수 대역, N 채널 향상 모드를위한 솔리드 스테이트 송신기를 가능하게합니다.
매개 변수 :
N 채널 향상 모드 MOSFET
● 150MHz, 28V에서 성능 보장 :
출력 전력 = 80W
이득 = 11dB (일반적으로 13dB)
효율성 = 최소 55 % (일반적으로 60 %)
● 낮은 내열성
● 정격 출력에서 견고성 테스트
● 강화를위한 질화 부동 태화 다이
● ed 신뢰성
● 저잡음 수치 — 보통 1.5dB. 2.0A, 150MHz에서
● 우수한 열 안정성; Class A 작업에 적합
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