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FMUSER MRFE6VP5150N RF 전력 LDMOS 트랜지스터 고 강성 N- 채널 향상-모드 측면 MOSFET 트랜지스터
FMUSER MRFE6VP5150N RF 전력 LDMOS 트랜지스터 높은 견고성 N-채널 향상 모드 측면 MOSFET 트랜지스터 설명 이 높은 견고성 장치는 높은 VSWR 산업(레이저 및 플라즈마 여기기 포함), 방송(아날로그 및 디지털), 항공우주 및 라디오/육상 모바일 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다. 이것은 1.8에서 600MHz 사이의 넓은 주파수 범위 활용을 허용하는 타의 추종을 불허하는 입력 및 출력 설계입니다. 일반 성능: VDD = 50 Vdc 매개변수 값 ● 주파수(최소)(MHz): 1.8 ● 주파수(최대)(MHz): 600 ● 공급 전압(일반)(V): 50 ● P1dB(일반)(dBm): 51.8 ● P1dB(일반)(W): 150 ● 출력 전력(일반)(W) @ 테스트 신호의 상호변조 레벨: CW @
세부
| 가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
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FMUSER MRFE6VP5150N RF 전력 LDMOS 트랜지스터 높은 견고성 N-채널 향상 모드 측면 MOSFET 트랜지스터
상품 설명
이 높은 견고성 장치는 높은 VSWR에서 사용하도록 설계되었습니다. 산업(레이저 및 플라즈마 여기기 포함), 방송(아날로그 및 디지털), 항공우주 및 라디오/육상 모바일 애플리케이션. 일치하지 않는 입력이며 1.8에서 XNUMX 사이의 넓은 주파수 범위 활용을 허용하는 출력 설계 600 MHz.
일반 성능: VDD = 50Vdc
매개 변수 가치관
● 주파수(최소)(MHz): 1.8
● 주파수(최대)(MHz): 600
● 공급 전압(통상)(V): 50
● P1dB(통상)(dBm): 51.8
● P1dB(통상)(W): 150
● 출력 전력(통상)(W) @ 테스트 신호의 상호변조 레벨: [email protected]
● 테스트 신호 : CW
● 전력 이득(통상)(dB) @ f(MHz): 230 @ 26.3
● 효율(통상)(%): 72
● 열 저항(사양)(℃/W): 0.21
● 어울리는: 타의 추종을 불허하는
● 등급 : AB
● 다이 기술: LDMOS
테이프 및 릴에서. R1 접미사 = 500 단위, 44mm 테이프 폭, 13인치 릴
방송용 FM / TV 장비를 구매하고 싶으시면 언제든지 이메일로 연락 주시기 바랍니다. [이메일 보호].
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