FMUSER Original MRF151 To-59 고주파 튜브 150W, 50V, 175MHz N 채널 광대역 MOSFET RF 전력 전계 효과 트랜지스터-RF 트랜지스터-FMUSER FM/TV 방송 원스톱 공급업체

FMUSER Original MRF151 To-59 고주파 튜브 150W, 50V, 175MHz N 채널 광대역 MOSFET RF 전력 전계 효과 트랜지스터 개요 MRF 시리즈 장치는 고성능 1MHz ~ 3.5GHz 바이폴라 RF 트랜지스터입니다. 이 Tech 바이폴라 트랜지스터는 항공 전자, 통신, 레이더 및 산업, 과학 및 의료 응용 분야에 이상적입니다. MRF 계열 장치는 팔레트 증폭기, TMOS 및 DMOS 트랜지스터, LDMOS 트랜지스터를 포함하는 광범위한 RF 전력 트랜지스터의 일부입니다. 특징 ● 30MHz, 50V에서 성능 보장 : ● 출력 전력 — 150W ● 이득 — 18dB (22dB 일반) ● 효율성 — 40 % ● 175MHz, 50V에서 일반 성능 : ● Ou

세부

너무 이른:FMUSER 원래 새로운 SD2932 RF 전력 트랜지스터 고출력 게인 50V MOSFET 트랜지스터

다음 :FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N- 채널 MOS 전계 효과 광대역 RF 전력 전계 효과 트랜지스터

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FMUSER Original MRF151 To-59 고주파 튜브

150W, 50V, 175MHz N채널 광대역 MOSFET RF 전력 전계 효과 트랜지스터

살펴보기

MRF 시리즈 장치는 고성능 1MHz ~ 3.5GHz 바이폴라 RF 트랜지스터입니다. 이 Tech 바이폴라 트랜지스터는 항공 전자 공학, 통신, 레이더, 산업, 과학 및 의료 애플리케이션에 이상적입니다. MRF 계열 장치는 팔레트 증폭기, TMOS 및 DMOS 트랜지스터, LDMOS 트랜지스터를 포함하는 광범위한 RF 전력 트랜지스터의 일부입니다.

특징

● 30MHz, 50V에서 성능 보장:
● 출력 전력 - 150W
● 게인 - 18dB(통상 22dB)
● 효율성 — 40%
● 175MHz, 50V에서 일반 성능:
● 출력 전력 - 150W
● 이득 — 13dB

● 낮은 열 저항
● 정격 출력 전력에서 견고성 테스트 완료
● 향상된 신뢰성을 위한 질화물 부동태화 다이

상품 설명

RF MOSFET 트랜지스터 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB. 최대 175MHz의 주파수에서 광대역 상용 및 군사용으로 설계되었습니다. 이 장치의 고출력, 고이득 및 광대역 성능은 FM 방송 또는 TV 채널 주파수 대역용 솔리드 스테이트 송신기를 가능하게 합니다.

스펙

● 제품 카테고리 : RF MOSFET 트랜지스터
● 트랜지스터 극성 : N- 채널
● ID-연속 드레인 전류 : 16
● Vds-드레인 소스 항복 전압 : 125 V
● 이득: 13 dB
● 출력 전력 : 150 승
● 최소 작동 온도 : -65 C
● 최대 작동 온도 : + 150C
● 장착 스타일 : SMD / SMT
● 패키지 / 케이스 : 221-11-3
● 포장 : 쟁반
● 구성 : 하나의
● 작동 빈도 : 175 MHz
● Pd-전력 소비 : 300 승
● 상품 분류 : RF MOSFET 트랜지스터
● 팩토리 팩 수량 : 20
● 하위 카테고리 : MOSFET
● Vgs-게이트 소스 전압 : 40 V
● Vgs th-게이트 소스 임계 값 전압 : 3 V