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FMUSER 원래 새로운 SD2931-11 RF 전력 트랜지스터 고출력 이득 20V MOSFET 트랜지스터
FMUSER 본래 새로운 SD2931-11 RF 힘 트랜지스터 고성능 이득 20V MOSFET 트랜지스터 묘사 : SD2931-11는 금에 의하여 금속을 입힌 N 채널 MOS 전계 효과 RF 힘 트랜지스터입니다. 표준 SD2931 MOSFET과 전기적으로 동일하므로 최대 50MHz의 230V dc 큰 신호 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다. SD2931-11은 SD2931과 기계적으로 호환되지만 더 나은 열 성능 (25 % 더 낮은 열 저항)을 제공하여 신뢰성과 견고성이 중요한 요소 인 ISM 애플리케이션을위한 동급 최고의 트랜지스터를 나타냅니다. 특징 : * 금 금속 화 * 우수한 열 안정성 * 공통 소스
세부
| 가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
| 108 | 1 | 35 | 143 | DHL |
FMUSER 원래 새로운 SD2931-11 RF 전력 트랜지스터 고출력 이득 20V MOSFET 트랜지스터
상품 설명
SD2931-11는 금으로 금속 화 된 N- 채널입니다 MOS 전계 효과 RF 전력 트랜지스터. 존재 표준 SD2931와 전기적으로 동일 MOSFET, 50 V dc 대형 용으로 설계되었습니다 230 MHz까지 신호 애플리케이션. SD2931-11는 SD2931이지만 더 나은 열을 제공합니다. 기능 (25 % 더 낮은 열 저항), ISM을위한 동급 최고의 트랜지스터를 대표 신뢰성과 견고성이있는 응용 분야 중요한 요소.
특징:
* 금 금속 화
* 우수한 열 안정성
* 공통 소스 구성
* POUT = 150 W 분 14dB @ @ 175MHz로
* 더 낮은 열 향상 포장
* 접합 온도
* 단위로 표시된 GFS 및 VGS 정렬
사양 :
* 시리즈 : SD2931* 제품 카테고리 : RF MOSFET 트랜지스터
* 트랜지스터 극성 : N-Channel
* 기술 : Si
* ID-연속 드레인 전류 : 20 A
* Vds-드레인 소스 항복 전압 : 125 V
* 이득 : 15 dB
* 출력 전력 : 150 W
* 최소 작동 온도 :-65 C
* 최대 작동 온도 : + 200 C
* 장착 스타일 : Screw Mount
* 포장 : Bulk
* 구성 : 단일 이중 소스
* 높이 : 7.11 mm (최대)
* 길이 : 24.89 mm (최대)
* 작동 주파수 : 230 MHz
* 너비 : 12.83 mm (최대)
* 채널 모드 : 향상
* Pd-전력 소비 : 389 W
* Vgs-게이트 소스 전압 : 20 V
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