의 GaN RF 장치 개발자, 크리어는 준비 레벨 팔 (MRL 8) 지정을 제조 미 국방부 (DoD)을 얻었습니다.

GaN으로 모 놀리 식 마이크로파 집적 회로 (MMIC에)의 생산에 대한 수상이 지정은 국가 방위에 필수적인 항목에 대해, 안심 저렴하고 상업적으로 생산 능력 및 용량을 제공하는 크리어의 능력을 확인합니다.

지정은 실리콘 카바이드 생산 능력 프로그램에 대한 국방부의 방위 생산 법 (DPA) 제목 III 질화 갈륨의 크리어의 성공적인 완료에 수여되었다.

"크리어는 DPA 제목 III 사무실 추구하는 회사의 미션 준비 기능을 예시,"마크 Buffler, 감독, 국방 장관의 사무실 내에서 국방 생산 법 타이틀 III 프로그램은 말했다. "이러한 공공 - 민간 파트너십의 주요 목적은 우리의 국방은 미국의 방위 산업 기반의 경제 및 기술 경쟁력을 강화하면서 필수적인 제품 및 재료에 대한 보장, 저렴하고 상업적으로 생산 능력 및 용량의 창조이다."

공공 - 민간 협력 노력을 통해 자금을 지원하는 통합 프로그램 팀 (IPT)와 공동으로 주도, 실리콘 카바이드 레이더에 3 년, 다중 위상의 GaN / 전자 전쟁 MMIC 생산 능력 프로젝트 평가하고에 필요한 제조 공정을 세분화하도록 구성되었다 풀 레이트 MMIC 생산 능력을 지원한다.

IPT는 공군 연구소 재료 및 제조 이사회 (AFRL / RX) 인력, 크리어 엔지니어 및 제조 전문가 및 정부의 컨설턴트를 선택 구성되었다.

이 프로그램은 국방, 제조 및 산업 기지 정책 (MIBP)의 차관보에 의해 관리되며, 미 공군, 국방부 내에서 집행 에이전트에 의해 투여 하였다. 정부가 직접 기금에서 $ 18 만 크리어 기금에서 $ 3.5 만 달러 자금 지원, 국방 프로그램은 $ 21.5 만 달러의 총 공공 - 민간 파트너십의 노력을 차지했다.

2010 때문에, 크리어는 국방부 및 상업 시장 모두를위한 고급의 GaN 기술의 미국 최대 공급 업체 중 하나로, 5 백만 명 이상의 MMIC에와 장치를 출하했다. 이 기간 동안 현장에서 약 사십억 장치 시간은 받았는데 조건에서 크리어의 제조 공정의 뛰어난 견고성과 결과 장치의 유효성을 검사 십억 장치 시간 당보다 10 장애 관련, 업계를 선도하는 FIT 속도로 축적 된 .

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