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FMUSER Original New MRF6V2150NB SMD RF 전력 트랜지스터 튜브 고주파 튜브 전력 증폭 모듈 전력 MOSFET 트랜지스터
FMUSER 원래 새로운 MRF6V2150NB SMD RF 전력 트랜지스터 튜브 고주파 튜브 전력 증폭 모듈 전력 MOSFET 트랜지스터 FMUSER 원래의 새로운 MRF6V2150NB RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터는 주로 최대 450MHz의 주파수를 가진 광대역 대형 신호 출력 및 드라이버 애플리케이션 용으로 설계되었습니다. 장치는 타의 추종을 불허하며 산업, 의료 및 과학 응용 분야에 사용하기에 적합합니다. 제품 세부 사항 : 부품 번호 : MRF6V2150NB 설명 : 측면 N 채널 단일 종단 광대역 RF 전력 MOSFET, 10-450MHz, 150W, 50V 특징 : 일반적인 CW 성능 220MHz에서 : VDD = 50V, IDQ = 450mA, Pout = 150W Pow
세부
가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
89 | 1 | 0 | 89 | 항공 우편 배송 |
FMUSER 원래 새 MRF6V2150NB SMD RF Power 트랜지스터 튜브 고주파 튜브 전력 증폭 모듈 전력 MOSFET 트랜지스터
FMUSER 원래 새로운 MRF6V2150NB RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터 d주로 광대역 대형 신호 출력 및 드라이버 애플리케이션 용으로 지정됨최대 450MHz의 주파수로. 장치는 타의 추종을 불허하며 다음에 적합합니다.산업, 의료 및 과학 응용 분야에서 사용
제품 세부 사항 :
P예술 번호 : MRF6V2150NB
특징:
220MHz에서 일반적인 CW 성능 : VDD = 50V, IDQ = 450mA, Pout = 150W
전력 이득 : 25.5 dB
배수 효율성 : 69 %
10 : 1 VSWR, @ 50 Vdc, 210MHz, 150W 처리 가능
통합 ESD 보호
우수한 열 안정성
수동 이득 제어, ALC 및 변조 기술 촉진
225 ° C 가능 플라스틱 패키지
RoHs 지령
일반 매개 변수 :
보관 온도 : -65 ~ 150도
1xMRF6V2150NB RF 전력 트랜지스터
가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
89 | 1 | 0 | 89 | 항공 우편 배송 |