FMUSER 원래 새로운 MRF6VP11KH RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터 -RF 트랜지스터 -FMUSER FM / TV 방송 원 스톱 공급

FMUSER Original New MRF6VP11KH RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터 FMUSER MRF6VP11KHR6은 주로 최대 150MHz의 주파수를 가진 펄스 광대역 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 장치는 타의 추종을 불허하며 산업, 의료 및 과학 응용 분야에서 사용하기에 적합합니다. 130MHz에서 일반적인 펄스 성능 : VDD = 50V, IDQ = 150mA, Pout = 1000W 피크 (200W 평균), 펄스 폭 = 100µsec, 듀티 사이클 = 20 % 전력 이득 : 26dB 드레인 효율 : 71 10 : 1 VSWR, @ 50Vdc, 130MHz, 1000W 처리 능력 % 직렬 등가의 큰 신호 임피던스 매개 변수로 특성화 된 최대 전력 최대 50VDD 작동까지 인증 된 적절한 냉각을 통한 CW 작동 기능 통합 ESD 보호

세부

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FMUSER 원래 새로운 MRF6VP11KH RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터

FMUSER MRF6VP11KHR6은 주로 최대 150MHz의 주파수를 사용하는 펄스 광대역 애플리케이션 용으로 설계되었습니다. 장치는 타의 추종을 불허하며 산업, 의료 및 과학 응용 분야에서 사용하기에 적합합니다.

특징

130MHz에서 일반적인 펄스 성능 : VDD = 50V, IDQ = 150mA, Pout = 1000W 피크 (200W 평균), 펄스 폭 = 100µsec, 듀티 사이클 = 20 %
전력 이득 : 26dB
효율성 배수 : 71하기 %
10 처리 능력 : 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 와트 피크 전력
동일한 크기의 대 신호 임피던스 파라미터로 특징 지어진
적절한 냉각 기능을 갖춘 CW 작동 기능
최대 50 VDD 동작까지 검증
통합 ESD 보호
푸시 - 풀 동작을 위해 설계
개선 된 클래스 C 동작을위한 네거티브 게이트 - 소스 전압 범위
RoHs 지령
테이프 및 릴에서. R6 접미사 = 150mm 당 56 단위, 13 인치 릴

스펙

트랜지스터 유형 : LDMOS
기술 : Si
응용 산업 : ISM, 방송
신청 : 과학, 의료
CW / 펄스 : CW
주파수 : 1.8 ~ 150MHz
전력 : 53.01dBm
전력 (W) : 199.99W
P1dB : 60.57dBm
피크 출력 전력 : 1000W
펄스 폭 : 100 us
Duty_Cycle : 0.2
전력 이득 (Gp) : 24 ~ 26dB
입력 반환 : 손실 : -16 ~ -9dB
VSWR : 10.00 : 1
극성 : N 채널
공급 전압 : 50 V
임계 전압 : 1 ~ 3 Vdc
항복 전압-드레인 소스 : 110V
전압-게이트 소스 : (Vgs) :-6 ~ 10 Vdc
배수 효율 : 0.71
드레인 전류 : 150mA
임피던스 Zs : 50 Ohms
내열성 : 0.03 ° C / W
패키지 : 유형 : 플랜지
패키지 : CASE375D--05 STYLE 1 NI--1230--4
RoHS 준수 : 예
작동 온도 : 150 섭씨 온도
보관 온도 : -65 ~ 150 ° C