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FMUSER 원래 새로운 MGF2430A RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터
FMUSER Original New MGF2430A RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터 설명 N 채널 쇼트 키 게이트가있는 GaAs FET 인 MGF2430A는 L 대 Ku 대역 증폭기 용으로 설계되었습니다. 특징 ● 높은 출력 전력 P1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5GHz ● 높은 선형 이득 GLP = 6.5dB (TYP.) @ f = 14.5GHz ● 고전력 추가 효율 P.AE = 27 % (TYP.) @ f = 14.5 GHz, P1dB ● 밀봉 된 금속 패키지 적용 ● L ~ Ku 대역 전력 증폭기 용 품질 ● IGOUTLINE 도면 권장 바이어스 조건 ● Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500 ● 절대 최대 정격 ● VGDO 게이트-소스 전압 ● VGSO 게이트-소스 전압 ● IDSS 사투
세부
가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
69 | 1 | 0 | 69 | 항공 우편 |
FMUSER 원래 새로운 MGF2430A RF 전력 트랜지스터 전력 MOSFET 트랜지스터
기술
N 채널 쇼트 키 게이트가있는 GaAs FET 인 MGF2430A는 L-Ku 대역 증폭기 용으로 설계되었습니다.
STYLE
●높은 출력 전력 P1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5GHz
●높은 선형 이득 GLP = 6.5dB (TYP.) @ f = 14.5GHz
●고전력 추가 효율 P.AE = 27 % (TYP.) @ f = 14.5GHz, P1dB●밀폐 된 금속 패키지
●L to Ku 대역 파워 앰프 용
●IGOUTLINE 그리기
권장 바이어스 조건
●Vds = 10V ID = 300mA Rg = 500●절대 최대 등급
●VGDO 게이트-소스 전압
●VGSO 게이트-소스 전압
●IDSS 포화 드레인 전류
●IGR 역방향 게이트 전류
●IGF 순방향 게이트 전류
●PT * 1 총 전력 손실
●Tch Cannel 온도
●Tstg 보관 온도 * 1 : Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)
포장은 다음을 포함한다
1x MGF2430A RF 전력 트랜지스터
가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
69 | 1 | 0 | 69 | 항공 우편 |