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FMUSER 1pcs 원래 새로운 MRF141G RF 전력 MOSFET 트랜지스터
FMUSER 1pcs 원래의 새로운 MRF141G RF 전력 MOSFET 트랜지스터 설명 175MHz의 주파수에서 광대역 상업 및 군사 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 장치의 고전력, 고 이득 및 광대역 성능은 특히 FM 방송 또는 TV 채널 주파수 대역 솔리드 스테이트 송신기 및 증폭기에 유용합니다. 특징 ● 175MHz, 28V에서 성능 보장 : ● 출력 전력 : 300W ● 게인 : 12dB (14dB Typ.) ● 효율 : 50 % ● 낮은 열 저항 : 0.35 ° C / W ● 정격 출력 전력에서 견고성 테스트 ● 향상된 신뢰성 사양 ● 트랜지스터 극성 : N- 채널 ● 기술 : Si ● Id-연속 드레인 전류 : 32 A
세부
가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
168 | 1 | 0 | 168 | DHL |
FMUSER 1pcs 오리지널 신규 MRF141G RF 전력 MOSFET 트랜지스터
상품 설명
175MHz의 주파수에서 광대역 상업 및 군사 애플리케이션 용으로 설계되었습니다. 고출력, 고 이 장치의 이득 및 광대역 성능은 특히 FM 방송 또는 TV 채널 주파수에 유용합니다. 밴드 솔리드 스테이트 송신기 및 증폭기.
특징
●175MHz, 28V에서 보장 된 성능 :●출력 전력: 300W
●이득 : 12dB (표준 14dB)
●효율성 : 50의 %
●낮은 내열성 : 0.35 ° C / W
●정격 출력에서 견고성 테스트
●신뢰성 향상을위한 질화물 부동 태화 다이
●트랜지스터 극성 : N- 채널
●기술: Si
●ID-연속 드레인 전류 : 32
●Vds-드레인 소스 항복 전압 : 65 V
●작동 빈도 : 175 MHz
●이득: 12 dB
●출력 전력 : 300 승
●최소 작동 온도 : -65 C
●최대 작동 온도 : + 150C
●장착 스타일 : SMD / SMT
●패키지 / 케이스 : 375-04
●Pd-전력 소비 : 500 승
●Vgs-게이트 소스 전압 : 40 V
●Vgs th-게이트 소스 임계 값 전압 : 3 V
어플리케이션
●항공 우주 및 방위●ISM
패키지 포함
1x MRF141G RF 전력 트랜지스터
가격 (USD) | 수량 (PCS) | 배송 (USD) | 총 (USD) | 배송 방법 | 결제 |
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