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FMUSER 원본 새 MRF6VP2600H RF 전력 트랜지스터 MOSFET 트랜지스터 500MHz 600W 측면 N 채널 광대역

살펴보기

MRF6VP2600H는 주로 500 MHz까지의 주파수를 가진 광대역 애플리케이션 용으로 설계되었습니다. 장치는 타의 추종을 불허하며 방송 응용 프로그램에 사용하기에 적합합니다.

특징

* 일반적인 DVB-T OFDM 성능 : VDD = 50V, IDQ = 2600mA, Pout = 평균 125W, f = 225MHz, 채널 대역폭 = 7.61MHz, 입력 신호 PAR = 9.3dB @ CCDF에서 0.01 % 확률. : 25dB 드레인 효율 : 28.5 % ACPR @ 4MHz 오프셋 : –61dBc @ 4kHz 대역폭

* 일반적인 펄스 성능 : VDD = 50V, IDQ = 2600mA, Pout = 600W 피크, f = 225MHz, 펄스 폭 = 100µsec, 듀티 사이클 = 20 % 전력 이득 : 25.3dB 드레인 효율 : 59 %

* 사용 가능한 10 : 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 와트 피크 전력, 펄스 폭 = 100 μsec, 듀티 사이클 = 20 %

* 동일한 크기의 대 신호 임피던스 파라미터로 특징 지어진

* 적절한 냉각 기능을 갖춘 CW 작동 기능

* 최대 50 VDD 작동까지 검증 됨

* 통합 ESD 보호

* 푸시 - 풀 동작을 위해 설계

* 개선 된 클래스 C 동작을위한 네거티브 게이트 - 소스 전압 범위

* RoHs 지령

* 테이프 및 릴. R6 접미사 = 150 당 56 단위 mm, 13 인치 단위.

스펙

주파수 (분) (MHz) : 2

주파수 (최대) (MHz) : 500

공급 전압 (일반) (V) : 50

P1dB (일반) (dBm) : 57.8

P1dB (일반) (W) : 600

출력 신호 (일반) (W) @ 테스트 신호에서의 상호 변조 레벨 : 125.0 @ AVG

테스트 신호 : OFDM

전력 이득 (일반) (dB) @ f (MHz) : 25.0 @ 225

효율성 (일반) (%) : 28.5

열 저항 (규격) (℃ / W) : 0.2

일치 : 타의 추종을 불허합니다.

종류 : AB

다이 기술 : LDMOS

 

 

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